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松波 紀明*; 福岡 修*; 志村 哲生*; 左高 正雄; 岡安 悟
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 230(1-4), p.507 - 511, 2005/04
被引用回数：14 パーセンタイル：67.9(Instruments & Instrumentation)高エネルギー重イオン照射に伴い高密度電子励起による固体内原子変位の機構解明を目的として東海研タンデム加速器を用いて各種の高エネルギーイオンビームを用い自己保持カーボン補修によりスパッタリング収量を測定し、また、電流測定法によりイオン照射による放出電子と放出イオン収量の測定を行った。試料は電子構造の異なる種々の酸化物(酸化珪素,酸化マグネシウム,スピネル,ジルコニアなど)であり、照射イオン種(Ni, Ar, Xeなど)と照射エネルギー(60-200MeV)は電子的阻止能を連続的に変化させて照射するために選んだ。スパッタリング測定の結果、電子励起スパッタリングは弾性散乱に基づく計算値に対して最大1000倍大きい、スパッタリング収量は電子阻止能のべき乗に比例する、べき乗の指数とスパッタリング収量は物質依存性があり、収量に関しては酸化物のバンドギャップに関係していることなど電子励起スパッタリングの存在と特性がわかった。電流測定法によりスパッタリング粒子の約10%は正イオンであることがわかった。イオン放出量が少ないことから、電子励起モデルの一つであるクーロン爆発モデルは妥当でないことがわかった。そこでthermal spikeモデルの妥当性とともに、self-trapped excitonモデルの適応性について議論する。
Bandourko, V.*; 神保 龍太郎*; 中村 和幸; 秋場 真人
Journal of Nuclear Materials, 258-263, p.917 - 920, 1998/00
被引用回数：3 パーセンタイル：31.81(Materials Science, Multidisciplinary)ITER用プラズマ対向材料として有望なタングステン材料のセルフスパッタリング収率の角度及び温度依存性について報告する。主な内容は、入射角が70度近辺にスパッタリング収率の最大値を持つこと、より高温でスパッタリング収率が増加することである。特に、温度依存性に関しては、従来からの予測と異なるものであり、そのメカニズムについても報告する。
西堂 雅博; 曽根 和穂
Japanese Journal of Applied Physics, 22(9), p.1361 - 1365, 1983/00
被引用回数：17 パーセンタイル：65.41(Physics, Applied)低エネルギー領域(0.1keV~10keV)における、モリブデンおよびタングステンの自己スパッタリング率を、重量法により測定した。得られた結果は、2つのスパッタリング率を予想するために提案されている経験式との比較を行ない、そのエネルギー依存性は、比較的良く、傾向を示していること、実験値は、予想値よりファクター2ないし3程度小さいことなどが判明した。また、第一壁の損耗に与える自己スパッタリングの影響についても、論じた。
仙石 盛夫; 安積 正史; 松本 泰夫*; 前田 彦祐; 下村 安夫
JAERI-M 7918, 62 Pages, 1978/10
リミタ材やダイバータの中性化板のセルフ・スパッタリングにより発生した不純物の挙動を、モンテ・カルロ法により解析するコードの開発を行なった。このコードをDIVAおよびJT-60に適用し、壁材不純物の増加しない条件から、境界プラズマの温度の上限を求めた。
